Европейската комисия одобри държавни субсидии в размер на 319 милиона евро за модернизация на завод на Infineon Technologies във Вилах, Австрия. Компанията си поставя за цел да стане първата в света, която ще въведе масово производство на силови полупроводникови компоненти, базирани на галиев нитрид (GaN), използвайки 300-милиметрови пластини. Общата инвестиция в проекта ще възлезе на приблизително 1,1 милиарда евро.
Средствата ще бъдат използвани за разширяване на съществуващия производствен капацитет на Infineon в провинция Каринтия. Проектът, наречен „Empowering Fab“, предвижда преминаване от производство на GaN компоненти върху 200-милиметрови пластини към по-големи, 300-милиметрови пластини.
Според Infineon, очаква се първите продукти от модернизираното съоръжение да излязат на пазара до края на 2027 г., като инвестиционната програма ще продължи до 2034 г.
През 2024 г. Infineon усвои технологията за обработка на 300-мм пластини за силова електроника, базирана на галиев нитрид. Досега подобни компоненти се произвеждаха предимно върху 200-мм пластини.
Увеличаването на диаметъра на пластините позволява производство на приблизително 2,3 пъти повече чипове от една пластина, което – според Infineon – ще намали разходите и ще повиши ефективността при използване на оборудването.
Галиевият нитрид се разглежда като алтернатива на силиция в силовата електроника. Компонентите, базирани на този материал, могат да работят при високи честоти на превключване и предлагат по-ниски енергийни загуби при преобразуването на енергия. Това позволява създаване на по-компактни захранващи блокове, намалява отделянето на топлина и понижава изискванията за охлаждане.
Подобни решения са търсени за сървърно оборудване, центрове за данни за изкуствен интелект, електрически превозни средства, роботика и системи за възобновяема енергия.
Едно от ключовите приложения на GaN компонентите на Infineon е в захранването на сървъри за изкуствен интелект, където увеличената изчислителна мощност води до по-висока консумация на електроенергия.
С навлизането на все по-мощни ускорители, производителите на оборудване са изправени пред необходимостта да подобрят ефективността на преобразуване на енергията и да намалят загубите в захранващите системи. Аналогични изисквания важат и за зарядните устройства, както и за промишлените преобразуватели.
Изпълнителният директор на Infineon Йохен Ханебек заяви, че преходът към масово производство върху 300-мм пластини ще позволи на компанията да разшири използването на галиев нитрид в силовата електроника.
Според оценки на Yole Group, цитирани от производителя, глобалният пазар на силови компоненти на базата на галиев нитрид може да достигне 3,5 милиарда долара до 2031 г., като средногодишният темп на растеж за периода 2025-2031 г. се очаква да бъде около 35%.
Субсидията, одобрена от Европейската комисия, ще бъде предоставена в рамките на Европейския законодателен акт за чиповете (European Chips Act). Получаването на тези средства е обвързано с няколко задължения: Infineon трябва да разшири сътрудничеството си с университети, изследователски институции, стартъпи и малки технологични компании, като им осигури достъп до своите лаборатории, софтуер и хардуер.
Освен това австрийската държава има право на дял от всички допълнителни печалби, генерирани от проекта, които надвишават настоящите прогнози.
